| 型号： | IRFH5110TR2PBF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRFH5110TR2PBF PDF |  |
| 产品目录绘图 | IR Hexfet PQFN |
| 特色产品 | Mid-Voltage Power MOSFETs |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 12.4 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3152pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 供应商设备封装 | PQFN（5x6） |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | IRFH5110TR2PBFCT |